碳化硅作为半导体材料，在全球的各大实验室已经有了广泛的研究，其中作为LED照明灯或者其他简易工业品，更是已经进行了工业化的生产。
同时对比硅芯片碳化硅的优点很多。
例如宽禁带可以达到高达3.0eV到3.25eV，让芯片的工作环境温度提高到800度以上。
这种温度耐受力，未来什么扇热器之类的就不用了，而且可以用在太空探索等条件恶劣的地方。
其次，高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此功率器件可以减少，芯片体积也可以做的更小。
体积更小的芯片是制造可穿戴设备的关键，用户不想戴个笨重的头盔或者是几斤的科技眼镜装X。
另外，碳化硅芯片抗辐射能力也强，今后在太空或者强辐射领域工作也不会有任何问题。普通的芯片或者电子类产品，在辐射强的地方基本都会失去工作能力。
但是将碳化硅作为芯片，全球各大实验室并没有付诸于实践，主要原因就是技术问题。
现代工业技术还不足以将纠缠的量子对放入色心，并以此为基础进行运算，技术难度还是很大。