当然，现有的集成电路生产工艺只能生产一些低压的芯片，大功率器件有很多特有的技巧困难，就比如说芯片的减薄工艺，背面工艺，解决这些困难工艺需要重新制定，而且也需要特别的工艺设备，而且国内在这方面的根本没有经验。
别的不说，igbt芯片厚度是是特定的，需要减薄到200-100um，甚至到80um，现在国内可以将晶圆减薄到175um，再低就没有能力了，当硅片磨薄到如此地步后，后续的加工处理就比较艰苦了，极易破碎，难度非常大。
而背面工艺包含了背面离子注进，退火激活，背面金属化等工艺步骤，这些背面工艺必须在不超过450°c低温下进行，退火激活这一步难度不比中晶微研发新的制程工艺难度低。
在模块封装技巧方面，华越电子公司跟中晶微算是控制了封装技巧，但是在高压模块封装技巧经验上欠缺得很。
幸亏这几年中晶微跟华越电子公司也是造就出了一批高端工艺开发职员，瑞星科技公司在设备上也是有了必定的实力，至少在生产制作上倒不是毫无实力。
美国国内的公司在设计制作igbt芯片上实力是最壮大的，杨杰现在也是让美国的公司寻找有经验的设计职员，