也不意味着公司就没有在传统的金属氧化物半导体结构工艺上下功夫。
不过国内在这方面欠账很多，这需要耗费大量的精力，只能是通过招募这方面的技术人员过来培养技术团队。
中晶微在Fi工艺的基础上也是提出了soi结构工艺，这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10纳米以下，所以没有离栅极很远的泄漏路径，栅极可有效控制泄漏。→?八→.?八**读??书，.↓.o≥
现在公司Fi结构工艺可以在体硅或soi晶片上实现，提供了超过体硅金属氧化物半导体结构的许多优点，给定晶体管占空比的更高的驱动电流，更高的速度，更低的泄漏，更低的功耗，无随机的掺杂剂波动，因此晶体管的移动性和尺寸更好，但是工艺成本上还是比金属氧化物半导体结构工艺的芯片成本要高。
而绝缘体上硅，也就是soi结构工艺和传统金属氧化物半导体结构的主要区别在于：soi器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离，也就是晶圆片的不同，soi晶圆片的硬度比体硅的要高很多，而且它非常难以控制整个晶圆上的锡硅膜，而且要要用到特别精密的专用设备将晶片减薄到100纳米以下，可