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可以这么说，在八九年的存储器市场上，三牲已经露出了霸主的气质。
八九年寒国厂商在存储器上已经能生产512K的存储器了，而华国直到九三年才生产出256K的存储器。
其实在八五年江苏无锡江南无线电器材厂，也就是747厂制造出华国第一块64K DRAM的时候仅仅比韩国晚一年。
再往前推十年，七十年代中期，太弯刚刚向米国购买3英寸晶圆厂时，华国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。
华科院北京109厂，也就是万首吾所在的厂长生产出第一块1KDRAM的时候，虽然比米国日笨晚了四五年，但是比寒国和太弯却早了四五年。
八零年前后，寒国太弯才在米国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超华国。
寒国直接从16K起步，太弯从64K起步。
而华国那是仅仅能生产出4K的存储器。
万首吾当时已经在华科院109厂了，他们在七九年研制出4K DRAM。
到八一年的时候又研制出16K DRAM，也仅仅比寒国晚两年。
而109厂现在依然在生产64K