是固定，因为对原设备进行改造来生产新尺寸的硅晶圆而花费资金是相当惊人的，这些费用几乎可以建造一个新的生产工厂。这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。
坏点就会导致废品率的上升。目前的废品率大约在25％，也就是说圆晶被蚀刻入的晶体管因为坏点而报废。这就涉及到另外一个重要参数，也就是蚀刻尺寸。就是常见的什么10纳米、7纳米、5纳米。
几纳米就是用来表征集成电路尺寸的大小的一个参数。既然晶圆的尺寸不能随心所欲，那就让圆晶上面刻入的晶体管越来越小，这样也可以最大限度的提升良品率和让芯片也越来越小。
就像最初的砖头手机里面主板上面的cu芯片至少是现在的萝卜手机主板上面的cu芯片的十倍以上。
决定蚀刻尺寸的自然就是纳米级光刻机，也就是最好的asl浸润式光刻机。
其实所有量产的65n以下制程的芯片，都是用的asl193n浸润式光刻机。包括英te尔、三新、台级电、台连电、globalfoundry，还有国内的中芯、华宏半导体等。这个光刻机，从来没有禁售这回事。用这同一款光刻机，台级电能做到7n，三新能做到10n，中芯目前只能做到28n。