术面的角度来讨论这个问题。
在os工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即os器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。
然而，这个尺寸是无法无限削减下去的。
首先硅原子有自身的宽度，再一个量子力学中的隧穿效应随着线宽的不断缩小将越来越不可被忽略，各种各样的因素综合作用下，严重限制了硅基芯片的未来。
不过，人类对新技术的追求是永恒的。
既然硅基芯片不行，那便在其他可能行得通的材料上，开辟新的战场便可。
根据目前最新的研究，纳米碳管与二硫化钼等材料的运用为芯片的制程继续提高开辟了一条新的道路，让人们看到了将摩尔定律继续延续下去的曙光。
然而情况并不是永远都那么的乐观。
这两种材料虽然具备着代替硅基芯片的潜力，但都因为各自存在着的缺陷，让世界范围内研究硅基芯片代替材料的研究机构，迟迟无法突破最关键的瓶颈。
即，采用这两种开创性的材料，成功制作芯片的最核心的组成部件——晶体管！
早在研究石墨烯超导材料的时候，陆舟发现了两片以特殊角度重