x光的波长比极紫外光更短，能够更加容易地去生产先进制程芯片。
并且这种光刻机有一种优点，那就是它的光源是直接照射在芯片底上的。
这种曝光方式便叫做直写式。
而euv光刻机的光源中，euv光源是经过十几块镜片的各种折射，最后通过掩膜版上面的图案，以投影的方式在芯片上形成芯片的。
这也就是说，x光刻机不需要光掩膜版就能使用，同时它对透镜系统的要求很低，仅仅只对透镜表面光滑度有一点要求而已。
此外，euv光源在经过十几次光学镜片的折射后，原有光源的能量也会大大遭到削弱，原来的100%，到最后能量可能只会剩下不到3%，这也是为什么对euv光源的要求就是功率足够强，不然的话，华国也不可能在光源上实现不了突破，毕竟方法都知道，不可能造都造不出来。
而x光刻机就不同了，因为是直写式，不需要经过镜片折射，所以根本不用担心光源功率不足的问题，反倒要担心的是曝光时间稍微长了一点，反倒会影响到最终的效果。
当然，x光优点很多，但同样也有缺点。
那就是相比较euv光刻机来说，光刻效率比较低，在实现