光刻胶太薄而在之后出现过度蚀刻现象。
最后在硅片边缘进行溶剂喷洒，清除边缘部分的光刻胶，毕竟边角料是不需要的东西，与其做好边角料的利用工作，不如将重心投入整体良率提升上。
第三步则是前烘步骤，使用100摄氏度的热风，对光刻胶进行烘烤处理，这一步的目的是为了蒸发光刻胶中残留的溶剂，提高光刻胶附着的稳定性。
当光刻胶均匀分布且通过验证后，便送往真正的光刻机中，进行第四个步骤——对准与曝光。
光刻机整体由三部分组成，即是光源、透镜组以及硅片工作台。
首先将硅片送入工作台中，进行对准和调平工作，以确保硅片分毫不差地与透镜组保持焦距和相对位置。
接下来是曝光工作，这个年代光刻机普遍还在使用I类光源，即短弧超高压汞灯。I类光源的发光原理很简单：汞蒸气内电弧放电，汞原子最外层电子受到激发从而跃迁，落回后放出光子，其光源波长大约在436nm左右。
使用这种光对光刻胶表面进行处理后，部分光刻胶将会因为光照而改变化学性质，方便后续步骤进行处理。
但在处理之前，还需要通过第五道工序，后烧。