将硅片进行加热，让光化学胶中的光反应充分完成，以弥补曝光强度不足的问题，同时还能减少显影后因回驻波效应所带来的纹路现象。
接下来便是第六个步骤，显影和清洗。
使用超纯水浸润硅片，将显影液，也就是四甲基氢氧化铵均匀喷洒在光刻胶表面，让曝光部分充分溶解，最后使用超纯水冲洗光刻胶，留下与光掩模设计一致的坑道。
第七步则是沉积，按照顺序在硅片表面不同部分沉积杂质，层层刻蚀堆叠，在一张硅片上创造出数十亿记个PN二极管。
当然这并不算完，一张光掩模想要完整造出芯片雏形无疑是痴人说梦，为了保证工业效率，在这三步需要至少数台光刻机循环反复进行数千次曝光，一张5英寸的硅片才能初步产出两百到三百张左右的芯片雏形。
这些芯片雏形还要进行测量检查，使用显微镜，乃至是电子显微镜进行初步检查，例如它的光刻胶膜厚，套刻精度，以及其它关键尺寸等。
另外还要通给它通电，进行最终检查，确认芯片是否能够正常工作。
就算是在这个年代，一张芯片上也至少有数千万晶体管，要说它一个都不会坏，那是不可能的。在IC设计之初，往往早