“现代的光刻技术分成几个步骤，首先是气相成底膜，就是硅片在清洗、烘培后首先通过浸泡、喷雾或化学气相沉积等工艺。
然后是旋转涂胶，是形成底膜后，要在硅片表面均匀覆盖光刻胶，此时硅片被放置在真空吸盘上，吸盘底部与转动电机相连，当硅片静止或旋转的非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上，随后加速硅片旋转到一定的转速，光刻胶借助离心作用伸展到整个硅片表面，并持续旋转甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层，旋转一直到溶剂挥发，光刻胶膜几乎干燥后停止。
然后是软烘，是涂完光刻胶后，需对硅片进行软烘，除去光刻胶中残余的溶剂，提高光刻胶的粘附性和均匀性。未经软烘的光刻胶易发粘并受颗粒污染，粘附力会不足，还会因溶剂含量过高导致显影时存在溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。
还有曝光，这个过程是在硅片表面和石英掩模对准并聚焦后，使用紫外光照射，未受掩模遮挡部分的光刻胶发生曝光反应，实现电路图从掩模到硅片上的转移。
显影，是使用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶可溶解区域，使可见图形出现在硅片上，并区分需要刻蚀的区域和受光刻胶保护的区域