线上现在就有两种或两种上光刻机，这是因为并不是所有的工序里都是最窄的线宽。
晶圆有很多层，仅最初的的几层需要做到最窄的线宽。以300nm（3微米）工艺为例，制造晶圆时，仅最初的几层光刻的线宽为300nm，需要用到更先进的光刻机，之后的工序，对介质、金属的光刻，以及刻沟槽等的，都不需要用到300nm的线宽，500nm线宽也能满足要求。
更先进的光刻机成本更高，这样合理使用，能够有效降低设备成本。
而氧化、高温、退火等炉管机台和刻蚀机的单机产能较小，成为了产能的瓶颈，CVD设备、PVD设备和研磨机的单机产能也较小，因此需要的数量较多。
为保证产能，需要更多的设备来满足产能要求，因此平均下来的单机产能较小。
相对于蔡氏晶圆厂4英寸3微米制程的技术标准，曰本或者湾湾那些最先进晶圆厂而言，它们领先了约两个世代，他们的竞争优势更大，再通过先行折旧更是一个扩大优势的狠招。
因为技术差距有数年之差异，当后进者能大购新机准备进入量产时，先进者已经完成折旧而没有折旧成本了，后进者在制造成本上就怎么打得赢。
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