图形。
而光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版，简称光掩模版。
光掩制造技术是随着平面工艺的诞生逐渐发展起来的。
在1963年共和国就已经研制成功了平面晶体管和硅数字集成电路。这时候就是沿用的传统的照相术，首先在铜板纸上喷涂一层黑漆，然后用手术刀人工刻图、截图，采用大型照相机照相制成掩模板。
等到七十年到，共和国从曰本引进一批聚酯红膜刻图机和可在超微粒干版上曝光的E线分步重复曝光机，才算是摆脱人工进入了机械制造光掩模的能力；而八十年代，掩模技术设备再次更新换代，在建立满足自身光学掩模生产所需的铬板的同时，又利用中美蜜月期，引进了一批高精度光学制版设备，包括可变光阑式图形发生器，还有与之配套的GCA公司的精缩机。此时共和国的掩模制版能力跨上了一个大台阶，也是光掩模技术制造业的鼎盛时期，最接近国际光掩模制造水平的高光时刻。
可喜随着进入90年代，国际进入亚微米集成电路和亚微米加工技术的实际应用，共和国的光刻技术以及光掩模技术再次到了设备高兴周期。
而此时，