另一个时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960 年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到 1970 年代的投影式光刻机，1980 年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的 EUV 光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
曝光光源方面，从 1960 年代初到 1980 年代中期，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为 436nm（g 线）、405nm（h 线）和 365nm（i 线）。然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求。
1982 年，IBM 的 Kanti Jain 开创性的提出了“excimer ser lithography（准分子激光光刻）”，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在全球集成电路生产中得到广泛使用。在在发展的 30 年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从 19